Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 244-1567
Herst. Teile-Nr.:: BSZ065N06LS5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:: 244-1567
Herst. Teile-Nr.:: BSZ065N06LS5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	212A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	BSZ
	Gehäusegröße	SuperSO8 5 x 6
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.7mΩ
	Channel-Modus	N
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 212A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie BSZ
	Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ
	Channel-Modus N
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSZ065N06LS5ATMA1

MOSFET der BSZ-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 212 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ065N06LS5ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Schaltgerät, das für die Oberflächenmontage in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die einen hohen Dauerstrom und eine effiziente Leitung bei niedriger Durchlassspannung erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Der kontinuierliche Ablassstrom von 212 A sorgt für dauerhafte hohe Strombelastbarkeit
• 0,7 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste für verbesserte Effizienz
• Maximale Verlustleistung von 81 W unterstützt erhöhte thermische Lasten
• Die Durchlassspannung von 1,2 V reduziert den Spannungsabfall unter Last
• Die typische Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht eine schnelle Schaltleistung
• Die maximale Gate-Source-Nennleistung von 20 V schützt das Gate vor Überspannungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Leistungsstufen
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrücken- und H-Brücken-Designs
• Wird für Batterieschutz- und Stromverteilungsmodule verwendet
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Anwendbar für Hochleistungs-Schaltvorgänge in industriellen Steuergeräten

Welchen Temperaturbereich verträgt dieses Gerät im Betrieb?

Es funktioniert von -55 °C bis +150 °C und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit rauen Temperaturen.

Wie ist die Komponente für die Leiterplattenmontage verpackt?

Er wird in einem 8-poligen SuperSO8 5x6-Gehäuse für die Oberflächenmontage für die Montage auf einer kompakten Leiterplatte geliefert.

Welche Gate-Drive-Bedenken sind für die Schaltung erforderlich?

Antriebs-Schaltkreise müssen eine ausreichende Ladung für die typische Gate-Ladung von 80 nC liefern, um die gewünschte Schaltgeschwindigkeit zu erreichen und den maximalen Vgs-Grenzwert von 20 V einzuhalten.

Welche Art von Kanalleitung bietet er?

Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät, das für einen verbesserten Stromfluss in Low-Side- oder High-Side-Schalttopologien entwickelt wurde.