Infineon BSZ Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P +20 V / 5.10 A 81 W, 8-Pin PQFN

Dieser MOSFET ist ein Zweikanal-Halbleitergerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in kompakter Elektronik entwickelt wurde. Er unterstützt sowohl N- als auch P-Kanalbetrieb, wird in einem 8-poligen PQFN-Gehäuse geliefert und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine moderate Strombelastbarkeit und eine kontrollierte Gate-Ansteuerung erfordern. Die Komponente entspricht der RoHS-Richtlinie und ist für erweiterte Temperaturumgebungen spezifiziert.

• 150 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste beim Schalten
• Die typische Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht eine vorhersehbare Gate-Drive-Grösse
• 20 V max. Vds unterstützt Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
• 5,10 A kontinuierlicher Ablassstrom bewältigt anhaltende Lastströme
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine hohe Handhabung transienter Energien

• Geeignet für Point-of-Load-Schaltregler
• Ideal für synchrone Abwärtswandler-Stufen
• Einsatz mit Mixed-Signal-Power-Management-Schaltkreisen
• Kann zum Schutz der Batterie und zum Schalten der Last verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt.

Es handelt sich um eine oberflächenmontierbare Komponente, die in einem 8-poligen PQFN-Gehäuse geliefert wird.

Die Verfügbarkeit sowohl von N-Kanal- als auch von P-Kanal-Typen ermöglicht komplementäre Topologien und eine vereinfachte Pegelverschiebung in bidirektionalen Schaltern.

Eine Gate-Ladung von 80 nC erfordert einen Gate-Treiber, der für die beabsichtigte Schaltgeschwindigkeit geeignet ist, um Übergangsenergie und Schaltverluste zu verwalten.