Infineon BSZ Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P +20 V / 5.10 A 81 W, 8-Pin PQFN

RS Best.-Nr.:: 250-0563
Herst. Teile-Nr.:: BSZ15DC02KDHXTMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSZ Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P +20 V / 5.10 A 81 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:: 250-0563
Herst. Teile-Nr.:: BSZ15DC02KDHXTMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N, Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	5.10A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	+20V
	Gehäusegröße	PQFN
	Serie	BSZ
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	150mΩ
	Channel-Modus	P
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N, Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.10A
	Drain-Source-Spannung Vds max. +20V
	Gehäusegröße PQFN
	Serie BSZ
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ
	Channel-Modus P
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSZ15DC02KDHXTMA1

MOSFET der BSZ-Serie von Infineon, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 5,10 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ15DC02KDHXTMA1

Dieser MOSFET ist ein Zweikanal-Halbleitergerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in kompakter Elektronik entwickelt wurde. Er unterstützt sowohl N- als auch P-Kanalbetrieb, wird in einem 8-poligen PQFN-Gehäuse geliefert und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine moderate Strombelastbarkeit und eine kontrollierte Gate-Ansteuerung erfordern. Die Komponente entspricht der RoHS-Richtlinie und ist für erweiterte Temperaturumgebungen spezifiziert.

Merkmale und Vorteile:

• 150 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste beim Schalten
• Die typische Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht eine vorhersehbare Gate-Drive-Grösse
• 20 V max. Vds unterstützt Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
• 5,10 A kontinuierlicher Ablassstrom bewältigt anhaltende Lastströme
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine hohe Handhabung transienter Energien

Anwendungsbereich

• Geeignet für Point-of-Load-Schaltregler
• Ideal für synchrone Abwärtswandler-Stufen
• Einsatz mit Mixed-Signal-Power-Management-Schaltkreisen
• Kann zum Schutz der Batterie und zum Schalten der Last verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule

In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt.

Welche Befestigung und Pinanzahl sind erforderlich?

Es handelt sich um eine oberflächenmontierbare Komponente, die in einem 8-poligen PQFN-Gehäuse geliefert wird.

Wie wirkt sich die Kanalkonfiguration auf das Schaltungsdesign aus?

Die Verfügbarkeit sowohl von N-Kanal- als auch von P-Kanal-Typen ermöglicht komplementäre Topologien und eine vereinfachte Pegelverschiebung in bidirektionalen Schaltern.

Welche Gate-Drive-Bedenken ergeben sich aus der Gate-Ladung?

Eine Gate-Ladung von 80 nC erfordert einen Gate-Treiber, der für die beabsichtigte Schaltgeschwindigkeit geeignet ist, um Übergangsenergie und Schaltverluste zu verwalten.