Infineon IQE008N03LM5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 253 A, 8-Pin PQFN 3 x 3
- RS Best.-Nr.:
- 240-6627
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE008N03LM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,39 € | 4,78 € |
| 20 - 48 | 2,15 € | 4,30 € |
| 50 - 98 | 2,005 € | 4,01 € |
| 100 - 198 | 1,86 € | 3,72 € |
| 200 + | 1,725 € | 3,45 € |
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- 240-6627
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE008N03LM5ATMA1
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon OptiMOSTM 5 30V PQFN 3,3x3,3 Source-Down bietet 30 V und einen niedrigen RDS(on) von 0,85 mOhm. Er bietet mehrere Vorteile, wie z. B. eine höhere thermische Leistungsfähigkeit, eine höhere Leistungsdichte oder verbesserte Layout-Möglichkeiten. Darüber hinaus sind die höhere Effizienz, der geringere Bedarf an aktiver Kühlung und das effektive Layout für das Wärmemanagement Vorteile auf Systemebene.
Verbesserte PCB-Verluste
Ermöglicht höchste Leistungsdichte und Leistung
Ermöglicht höchste Leistungsdichte und Leistung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 253 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | PQFN 3 x 3 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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