Infineon IAUZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 40 A 81 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 249-6899
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUZ40N06S5N050ATMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*
2.270,00 €
(ohne MwSt.)
2.700,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 27. Mai 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,454 € | 2.270,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 249-6899
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUZ40N06S5N050ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | IAUZ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie IAUZ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der Serie IAUZ von Infineon, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 40 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IAUZ40N06S5N050ATMA1
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Hochstromschaltungen in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich dort, wo eine kompakte Leistungsaufnahme und eine robuste thermische Toleranz erforderlich sind. Das Gerät entspricht Umweltauflagen und wird in einem wärmeeffizienten PQFN-Gehäuse geliefert, das für die automatisierte Platzierung optimiert ist.
Merkmale und Vorteile:
• Ein Rds(on) von 5 mΩ ermöglicht geringere Leitungsverluste
• 60 V Vds unterstützt Leistungsstufen mit mittlerer Spannung
• 40 A Dauerstrom für Schaltvorgänge mit hoher Belastung
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 80 nC typische Gate-Ladung erleichtert vorhersehbare Antriebsanforderungen
• 60 V Vds unterstützt Leistungsstufen mit mittlerer Spannung
• 40 A Dauerstrom für Schaltvorgänge mit hoher Belastung
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 80 nC typische Gate-Ladung erleichtert vorhersehbare Antriebsanforderungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule
• Ideal für Ausgangsstufen von DC/DC-Wandlern
• Einsatz mit Motorantriebs-Halbbrücken in kompakten Systemen
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Wird für industrielle Schaltvorgänge über breite Temperaturen hinweg verwendet
• Ideal für Ausgangsstufen von DC/DC-Wandlern
• Einsatz mit Motorantriebs-Halbbrücken in kompakten Systemen
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Wird für industrielle Schaltvorgänge über breite Temperaturen hinweg verwendet
Welche Überlegungen sind bei diesem Gerät erforderlich?
Ein Gate-Antrieb, der etwa 80 nC auf dem gewählten Vgs-Pegel liefern kann, gewährleistet zuverlässige Schaltzeiten und vorhersehbare Übergangsverluste.
Wie wirkt sich die thermische Umgebung auf die Dauerstromfähigkeit aus?
Die Verlustleistung von 81 W erfordert ein angemessenes Wärmemanagement der Leiterplatte und thermische Leitungen, um hohe Dauerstromströme ohne Überschreitung der Sperrschichttemperaturgrenzen aufrechtzuerhalten.
Welche Spannungs- und Polaritätsbeschränkungen gelten für das Gate?
Das Gate darf nicht über ±20 V gegenüber der Quelle angesteuert werden, um eine Beschädigung des Gate-Oxids zu vermeiden.
Welchen Temperaturbereich verträgt er in industriellen Umgebungen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in rauen Umgebungen und Umgebungen mit hohen Temperaturen.