Infineon IRFH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 11 A 81 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
243-9300
Herst. Teile-Nr.:
IRL100HS121
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

IRFH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET IRL100HS121 von Infineon ist in drei verschiedenen Spannungsklassen (60 V, 80 V und 100 V) erhältlich. Die neuen Logikpegel-Leistungs-MOSFETs von Infineon eignen sich hervorragend für drahtlose Lade-, Telekommunikations- und Adapteranwendungen. Das PQFN 2x2-Gehäuse ist besonders geeignet für Hochgeschwindigkeitsschaltungen und formfaktorkritische Anwendungen. Es ermöglicht eine höhere Leistungsdichte und einen verbesserten Wirkungsgrad sowie eine erhebliche Platzersparnis.

Niedrigster FOM (R DS(on) x Q g/gd)

Optimierte Q g, C oss und Q rr für schnelles Schalten

Logikpegel-Kompatibilität

Kleines PQFN-2 x 2-mm-Gehäuse

Designs mit höherer Leistungsdichte

Höhere Schaltfrequenz

Verwendet OptiMOSTM5-Chip

Reduzierte Teilenzahl, wo immer 5-V-Versorgungen verfügbar sind

Ansteuerung direkt von Mikrocontrollern (langsames schalten)

Systemkostenreduzierung

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