Infineon IAUZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 40 A 81 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 249-6900
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUZ40N06S5N050ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
8,22 €
(ohne MwSt.)
9,78 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 3.660 Einheit(en) mit Versand ab 23. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,644 € | 8,22 € |
| 50 - 120 | 1,488 € | 7,44 € |
| 125 - 245 | 1,444 € | 7,22 € |
| 250 - 495 | 1,412 € | 7,06 € |
| 500 + | 1,376 € | 6,88 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 249-6900
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUZ40N06S5N050ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | IAUZ | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie IAUZ | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon OptiMOS ist ein Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen. Der Betriebskanal ist N. Er ist AEC Q101-qualifiziert. MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow. Grünes Produkt (RoHS-konform) und 100 % Lawinengeprüft.
175 °C Betriebstemperatur
Verwandte Links
- Infineon IAUZ Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon IAUZ Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon IAUZ Typ N-Kanal 8-Pin AG-EASY2B.
- Infineon IAUZ Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IQE Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon IRFH Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon IRFH Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin PQFN