Infineon IRFH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 192 A 81 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
243-9297
Herst. Teile-Nr.:
IRFH8318TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

192A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

IRFH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET IRFH8318TRPBF von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt sich mit einer Vielzahl von Anwendungen ab, einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Niedriger Wärmewiderstand auf Leiterplatte <(1,7 °C/W)

Flache Ausführung <(1,2 mm)

Industriestandard-Anschlusskompatibel mit vorhandenen SMD-Techniken

RoHS-konform, frei von Blei, Bromid und Halogen

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