Infineon HEXFET IRF300P227 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 50 A, 3-Pin TO-247AC

Der Infineon IRF300P227-Qualifizierungsbericht beschreibt die Eigenschaften des Produkts in Bezug auf Qualität und Zuverlässigkeit. Die Auswahl der Qualifikationsprobe wurde auf Produktionslosen durchgeführt, die nach Standard-Fertigungsprozessen hergestellt und getestet wurden und die definierten Anforderungen erfüllen. Die in diesem Dokument beschriebenen Qualifikationsprüfergebnisse dieser Produkte basieren auf JEDEC für Zielanwendungen und können auf vorhandene Qualifikationsergebnisse ähnlicher Produkte verweisen. Diese Referenzierung wird durch die strukturelle Ähnlichkeit der Produkte gerechtfertigt.

Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit
Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA
Verbesserte Gehäusediode dv/dt und di/dt-Fähigkeit
Bleifrei
RoHS-kompatibel
Halogenfrei