- RS Best.-Nr.:
- 244-2924
- Herst. Teile-Nr.:
- IMW120R090M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück |
---|---|
1 - 4 | 8,12 € |
5 - 9 | 7,71 € |
10 - 24 | 7,39 € |
25 - 49 | 7,06 € |
50 + | 6,58 € |
- RS Best.-Nr.:
- 244-2924
- Herst. Teile-Nr.:
- IMW120R090M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der MOSFET IMW120R090M1HXKSA1 von Infineon in TO247-3-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen. Dazu gehören die niedrigsten Gate-Ladung- und Gerätekapazitätswerte, die in 1200-V-Schaltern zu sehen sind, keine Rückgewinnungsverluste der internen, kommutierungssicheren Gehäusediode, temperaturunabhängige niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie Einschaltstatuscharakteristik.
Sehr niedrige Schaltverluste
Eigenschaft für schwellenfreien Zustand im eingeschalteten Zustand
Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich
Referenz-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) = 4,5 V
0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung
Vollständig steuerbarer dV/dt
Robuste Gehäusediode für harte Kommutierung
Temperaturunabhängige Abschaltverluste
Eigenschaft für schwellenfreien Zustand im eingeschalteten Zustand
Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich
Referenz-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) = 4,5 V
0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung
Vollständig steuerbarer dV/dt
Robuste Gehäusediode für harte Kommutierung
Temperaturunabhängige Abschaltverluste
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 26 A |
Drain-Source-Spannung max. | 1200 V |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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