Infineon IMW120R090M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 26 A, 3-Pin TO-247

Der MOSFET IMW120R090M1HXKSA1 von Infineon in TO247-3-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen. Dazu gehören die niedrigsten Gate-Ladung- und Gerätekapazitätswerte, die in 1200-V-Schaltern zu sehen sind, keine Rückgewinnungsverluste der internen, kommutierungssicheren Gehäusediode, temperaturunabhängige niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie Einschaltstatuscharakteristik.

Sehr niedrige Schaltverluste
Eigenschaft für schwellenfreien Zustand im eingeschalteten Zustand
Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich
Referenz-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) = 4,5 V
0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung
Vollständig steuerbarer dV/dt
Robuste Gehäusediode für harte Kommutierung
Temperaturunabhängige Abschaltverluste