- RS Best.-Nr.:
- 248-6671
- Herst. Teile-Nr.:
- IMW120R040M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IMW120R040M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon CoolSiC 1200 V, 40 mΩ SiC MOSFET im TO247-3-Gehäuse basiert auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess, der Leistung und Zuverlässigkeit miteinander verbindet. Dazu gehören die niedrigsten Gate-Ladungs- und Bauelementekapazitätswerte, die bei 1200-V-Schaltern zu finden sind, keine Rückstromverluste der internen kommutierungssicheren Body-Diode, temperaturunabhängig niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie On-State-Charakteristik. Die CoolSiC-MOSFETs sind ideal für harte und resonante Schalttopologien wie Leistungsfaktorkorrekturschaltungen (PFC), bidirektionale Topologien und Gleichspannungswandler oder Wechselrichter.
VDSS - 1200 V bei T - 25 °C
IDCC - 55 A bei T - 25 °C
RDS(on) - 39 mohm bei VGS - 18 V, T - 25 °C
Sehr niedrige Schaltverluste
Kurzschlusswiderstandszeit 3 Mikrosekunden
Benchmark-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) - 4.2 V
Robust gegen parasitäres Einschalten, 0 V Abschalt-Gate-Spannung kann angelegt werden
Robuste Body-Diode für harte Kommutierung
XT-Verbindungstechnologie für klassenbeste thermische Leistung
IDCC - 55 A bei T - 25 °C
RDS(on) - 39 mohm bei VGS - 18 V, T - 25 °C
Sehr niedrige Schaltverluste
Kurzschlusswiderstandszeit 3 Mikrosekunden
Benchmark-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) - 4.2 V
Robust gegen parasitäres Einschalten, 0 V Abschalt-Gate-Spannung kann angelegt werden
Robuste Body-Diode für harte Kommutierung
XT-Verbindungstechnologie für klassenbeste thermische Leistung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 55 A |
Drain-Source-Spannung max. | 1200 V |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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