Infineon IPW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 60 A 81 W, 3-Pin IPW60R045CPAFKSA1 TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 244-2928
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R045CPAFKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | IPW | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie IPW | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon IPW60R045CPAFKSA1 MOSFET wurde speziell für DC/DC-Wandler für Kfz-Anwendungen entwickelt.
Weltweit beste R ds, ein in TO247
Extrem niedrige Gate-Ladung
Extreme dv/dt-ausgelegt
Hohe Spitzenstrombelastbarkeit
Kfz AEC Q101 zugelassen
Grünes Gehäuse (RoHS-konform)
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