Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 52 A 81 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
244-2909
Herst. Teile-Nr.:
AIMW120R045M1XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

52A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolSiC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

57nC

Durchlassspannung Vf

5.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

16.3mm

Breite

21.5 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

5.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon AIMW120R045M1XKSA1 wurde speziell entwickelt, um die hohen Anforderungen der Automobilindustrie in Bezug auf Zuverlässigkeit, Qualität und Leistung zu erfüllen. Die Erhöhung der Schaltfrequenz für einen Konverter mit CoolSiC TM MOSFETs kann zu einer drastisch verringerten Menge und Gewicht der magnetischen Komponenten um bis zu 25 % führen, was zu einer erheblichen Kostensteigerung der Anwendung selbst führt. Der Leistungsgewinn erfüllt neue Regelungsstandards in Bezug auf höhere Effizienzanforderungen für Elektrofahrzeuge.

Revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid (Siliziumkarbid) Sehr geringe Schaltverluste

Schwellenfreie Einschaltkennlinie (IGBT-kompatible Treiberspannung) (15 V zum Einschalten)

0-V-Gate-Abschaltspannung

Referenz-Gate-Schwellenspannung, VGS(th)=4,5 V

Vollständig steuerbarer dv/dt

Kommutierung robuste Gehäusediode, bereit für synchrone Gleichrichtung Temperaturunabhängige Abschaltverluste

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