Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 52 A 81 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 244-2910
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMW120R045M1XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
21,60 €
(ohne MwSt.)
25,70 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 610 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | 21,60 € |
| 5 - 9 | 20,52 € |
| 10 - 24 | 20,09 € |
| 25 - 49 | 18,79 € |
| 50 + | 17,71 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-2910
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMW120R045M1XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 52A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 5.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 57nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 16.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 21.5 mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 52A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 5.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 57nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 16.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 21.5 mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon AIMW120R045M1XKSA1 wurde speziell entwickelt, um die hohen Anforderungen der Automobilindustrie in Bezug auf Zuverlässigkeit, Qualität und Leistung zu erfüllen. Die Erhöhung der Schaltfrequenz für einen Konverter mit CoolSiC TM MOSFETs kann zu einer drastisch verringerten Menge und Gewicht der magnetischen Komponenten um bis zu 25 % führen, was zu einer erheblichen Kostensteigerung der Anwendung selbst führt. Der Leistungsgewinn erfüllt neue Regelungsstandards in Bezug auf höhere Effizienzanforderungen für Elektrofahrzeuge.
Revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid (Siliziumkarbid) Sehr geringe Schaltverluste
Schwellenfreie Einschaltkennlinie (IGBT-kompatible Treiberspannung) (15 V zum Einschalten)
0-V-Gate-Abschaltspannung
Referenz-Gate-Schwellenspannung, VGS(th)=4,5 V
Vollständig steuerbarer dv/dt
Kommutierung robuste Gehäusediode, bereit für synchrone Gleichrichtung Temperaturunabhängige Abschaltverluste
Verwandte Links
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon IMW Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon IMW Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon IMW Typ N-Kanal 3-Pin IMW120R030M1HXKSA1 TO-247
- Infineon IMW Typ N-Kanal 3-Pin IMW120R140M1HXKSA1 TO-247
- Infineon IMW Typ N-Kanal 3-Pin IMW120R040M1HXKSA1 TO-247
- Infineon IMW Typ N-Kanal 3-Pin IMW120R020M1HXKSA1 TO-247
- Infineon IMW Typ N-Kanal 3-Pin IMW120R007M1HXKSA1 TO-247