Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 192 A 81 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

6,70 €

(ohne MwSt.)

7,98 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 412 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 183,35 €6,70 €
20 - 482,945 €5,89 €
50 - 982,74 €5,48 €
100 - 1982,54 €5,08 €
200 +2,38 €4,76 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
242-0991
Herst. Teile-Nr.:
IRF100S201
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

192A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IPA

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon hat einen maximalen Ablassstrom von 192 A. Die Betriebstemperatur des Leistungs-MOSFETs beträgt -55 °C bis 175 °C. Es ist ideal für Niedrigfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern.

Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit von Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Gehäuse für Oberflächenmontage nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

Verwandte Links