Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 84 A 81 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 500 Stück)*

417,00 €

(ohne MwSt.)

496,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 11. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
500 - 5000,834 €417,00 €
1000 +0,792 €396,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
242-0983
Herst. Teile-Nr.:
IPA60R180P7XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

84A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPA

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon ist in der Form von TO-220-3. Der maximale kontinuierliche Ablassstrom beträgt 18 A und die Ablassquellenspannung beträgt 600 V. Die Betriebstemperatur beträgt -55 °C bis 175 °C.

Durchgangsbohrungs-Montagetechnologie,

26 W Verlustleistung,

Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und LLC),

Hervorragende Kommutierungs-Robustheit

Erhebliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten.

Ausgezeichnete ESD-Robustheit

Verwandte Links