Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 84 A 81 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
242-0987
Herst. Teile-Nr.:
IPA80R280P7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

84A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPA

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

P

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET von Infineon in TO-220-3-Gehäuseform. Der maximale kontinuierliche Ablassstrom beträgt 17 A und die Ablassquellenspannung beträgt 800 V. Er konzentriert sich hauptsächlich auf Flyback-Anwendungen einschließlich Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung.

Durchgangsbohrungs-Montagetechnologie

30 W Verlustleistung

Die Betriebstemperatur beträgt -55 °C bis 150 °C

Bessere Produktionsleistung durch Reduzierung von ESD-Ausfällen

Weniger Produktionsprobleme und geringere Feldrückstellung

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