Infineon IPA N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 84 A 81 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 242-0987
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA80R280P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt sichern
1000 weitere Einheiten hinzufügen, um 4% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 500 Stück)*
695,00 €
(ohne MwSt.)
825,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 31. Mai 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 500 - 500 | 1,39 € | 695,00 € | - |
| 1000 + | 1,321 € | 660,50 € | 4% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 242-0987
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA80R280P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 84A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 84A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie IPA von Infineon, 81 W maximale Verlustleistung, 84 A maximaler kontinuierlicher Ableitstrom – IPA80R280P7XKSA1
Dieser MOSFET ist ein dreipoliger N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er ist für hohe Dauerstromströme ausgelegt und arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, wodurch er sich für anspruchsvolle elektronische Systeme eignet, bei denen eine effiziente Leitfähigkeit und thermische Beständigkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Sehr niedriger Einschaltwiderstand von 2,9 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 84 A unterstützt Hochstrombetrieb
• Die Drain-Quellenspannung von 40 V ermöglicht Mittelspannungsstufen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltenergiemanagement
• Die Durchlassspannung von 0,9 V minimiert den Spannungsabfall während der Leitung
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 84 A unterstützt Hochstrombetrieb
• Die Drain-Quellenspannung von 40 V ermöglicht Mittelspannungsstufen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltenergiemanagement
• Die Durchlassspannung von 0,9 V minimiert den Spannungsabfall während der Leitung
Anwendungsbereich
• Geeignet für Stromversorgungen, die Transistoren mit niedrigem Rds(on) erfordern
• Ideal für Motorantriebsstufen mit hohem Strombedarf
• Wird für DC/DC-Wandler in industriellen Steuerungssystemen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für wärmeintensive Umgebungen mit einem breiten Temperaturbereich
• Ideal für Motorantriebsstufen mit hohem Strombedarf
• Wird für DC/DC-Wandler in industriellen Steuerungssystemen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für wärmeintensive Umgebungen mit einem breiten Temperaturbereich
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollte ich für einen sicheren Betrieb beachten?
Die Komponente toleriert Gate-Spannungen von bis zu 20 V bezogen auf die Quelle.
Welchen extremen Umgebungstemperaturen kann er während des Gebrauchs standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Montageoptionen aus?
Er wird in einem TO‐220-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage an einem Kühlkörper oder einer Leiterplatte konfiguriert ist.
Welche Art von Leitkanal verwendet er?
Er verwendet einen N-Typ-Kanal, der im P-Modus betrieben wird, für Schaltanwendungen.
Verwandte Links
- Infineon IPA N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPA N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPA Typ P-Kanal MOSFET P / 24.8 A TO-220
- Infineon IPA N-Kanal MOSFET N / 10.1 A TO-220
- Infineon IPA N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 14.1 A TO-220
- Infineon IPA N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 9.9 A TO-220
- Infineon IPA N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 600 V / 13.8 A TO-220
- Infineon IPA N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 72 A TO-220