Infineon IPA N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 84 A 81 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 242-0987
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA80R280P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 84A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 84A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie IPA von Infineon, 81 W maximale Verlustleistung, 84 A maximaler kontinuierlicher Ableitstrom – IPA80R280P7XKSA1
Dieser MOSFET ist ein dreipoliger N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er ist für hohe Dauerstromströme ausgelegt und arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, wodurch er sich für anspruchsvolle elektronische Systeme eignet, bei denen eine effiziente Leitfähigkeit und thermische Beständigkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Sehr niedriger Einschaltwiderstand von 2,9 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 84 A unterstützt Hochstrombetrieb
• Die Drain-Quellenspannung von 40 V ermöglicht Mittelspannungsstufen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltenergiemanagement
• Die Durchlassspannung von 0,9 V minimiert den Spannungsabfall während der Leitung
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 84 A unterstützt Hochstrombetrieb
• Die Drain-Quellenspannung von 40 V ermöglicht Mittelspannungsstufen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltenergiemanagement
• Die Durchlassspannung von 0,9 V minimiert den Spannungsabfall während der Leitung
Anwendungsbereich
• Geeignet für Stromversorgungen, die Transistoren mit niedrigem Rds(on) erfordern
• Ideal für Motorantriebsstufen mit hohem Strombedarf
• Wird für DC/DC-Wandler in industriellen Steuerungssystemen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für wärmeintensive Umgebungen mit einem breiten Temperaturbereich
• Ideal für Motorantriebsstufen mit hohem Strombedarf
• Wird für DC/DC-Wandler in industriellen Steuerungssystemen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für wärmeintensive Umgebungen mit einem breiten Temperaturbereich
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollte ich für einen sicheren Betrieb beachten?
Die Komponente toleriert Gate-Spannungen von bis zu 20 V bezogen auf die Quelle.
Welchen extremen Umgebungstemperaturen kann er während des Gebrauchs standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Montageoptionen aus?
Er wird in einem TO‐220-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage an einem Kühlkörper oder einer Leiterplatte konfiguriert ist.
Welche Art von Leitkanal verwendet er?
Er verwendet einen N-Typ-Kanal, der im P-Modus betrieben wird, für Schaltanwendungen.
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