Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 11 A 81 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
242-0992
Herst. Teile-Nr.:
IRL40SC209
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IPA

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Die N-Chaneel-Leistungs-MOSFETs von Infineon haben 7 Pins mit dem D2PAK-Gehäuse. Die Ablassquellenspannung (Vds) beträgt 40 V. Der kontinuierliche Ablassstrom (Id) beträgt 478 A. Die Betriebstemperatur beträgt -55 °C bis 175 °C.

Oberflächenmontage-Technologie

Die Verlustleistung beträgt 375 W.

Typische Anwendungen: Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler

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