- RS Best.-Nr.:
- 242-0985
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA80R1K2P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (In einer Stange von 500)
0,723 €
(ohne MwSt.)
0,86 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
---|---|---|
500 - 500 | 0,723 € | 361,50 € |
1000 - 1000 | 0,687 € | 343,50 € |
1500 + | 0,643 € | 321,50 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 242-0985
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA80R1K2P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der N-Kanal-MOSFET von Infineon bietet einen maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von 4,5 A und eine Ablassquellenspannung von 800 V. Er konzentriert sich hauptsächlich auf Flyback-Anwendungen einschließlich Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung. Die Betriebstemperatur des MOSFETs beträgt -55 °C bis 150 °C.
Best-in-Klasse-Leistung.
Ermöglicht Designs mit höherer Leistungsdichte.
BOM-Einsparungen und geringere Montagekosten.
Einfach zu betreiben und parallel zu betreiben.
Bessere Produktionsleistung durch Reduzierung von ESD-Ausfällen.
Weniger Produktionsprobleme und geringere Feldrückstellungen.
Einfache Auswahl der richtigen Teile für die Feinabstimmung von Designs
Ermöglicht Designs mit höherer Leistungsdichte.
BOM-Einsparungen und geringere Montagekosten.
Einfach zu betreiben und parallel zu betreiben.
Bessere Produktionsleistung durch Reduzierung von ESD-Ausfällen.
Weniger Produktionsprobleme und geringere Feldrückstellungen.
Einfache Auswahl der richtigen Teile für die Feinabstimmung von Designs
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 4,5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 800 V |
Gehäusegröße | TO-220 FP |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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