Infineon IPA N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 84 A 81 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 242-0982
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA029N06NXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (2 Stück, in einer Packung mit 2)*
6,82 €
(ohne MwSt.)
8,12 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 400 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,41 € | 6,82 € |
| 20 - 48 | 3,065 € | 6,13 € |
| 50 - 98 | 2,86 € | 5,72 € |
| 100 - 198 | 2,66 € | 5,32 € |
| 200 + | 2,49 € | 4,98 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 242-0982
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA029N06NXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 84A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 84A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon in einem TO-220-3-Gehäuse. Der maximale kontinuierliche Ablassstrom beträgt 84 A und die Ablassquellenspannung beträgt 60 V. Die Betriebstemperatur beträgt -55 °C bis 175 °C. Er bietet industrielle Anwendungen wie Motorsteuerung, Solar-Mikro-Wechselrichter und schnellen DC/DC-Wandler.
Durchgangsbohrungs-Montagetechnologie
38 W Verlustleistung
Höchste Systemwirksamkeit
Weniger Parallelen erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Systemkostenreduzierung
Sehr niedrige Überspannungsspannung
Verwandte Links
- Infineon IPA N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPA N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPA Typ P-Kanal MOSFET P / 24.8 A TO-220
- Infineon IPA N-Kanal MOSFET N / 10.1 A TO-220
- Infineon IPA N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 9.9 A TO-220
- Infineon IPA N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 14.1 A TO-220
- Infineon IPA N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 72 A TO-220
- Infineon IPA N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 45 A TO-220