Infineon IPA Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET P 600 V / 6.5 A 31 W, 3-Pin IPA60R380P6XKSA1 TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-3774
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R380P6XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-3774
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R380P6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IPA | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 380mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 31W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IPA | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 380mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 31W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie CoolMOS P6 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Zulieferers mit hochwertiger Innovation. Die angebotenen Geräte bieten alle Vorteile eines SJ-MOSFETs mit schneller Schaltung, ohne die Benutzerfreundlichkeit zu beeinträchtigen. Extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen effizienter, kompakter, leichter und kühler.
Höhere V th
Gute Gehäuse-Dioden-Robustheit
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Verbesserte dv/dt ab 50 V/ns
CoolMOS-Qualität mit über 12 Jahren Fertigungserfahrung in der Super-Junction-Technologie
Hohe Robustheit und besserer Wirkungsgrad
Hervorragende Qualität und Zuverlässigkeit
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