Infineon BSZ018NE2LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 153 A, 8-Pin PQFN 3 x 3
- RS Best.-Nr.:
- 241-9697
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ018NE2LSATMA1
- Marke:
- Infineon
4930 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
1,715 €
(ohne MwSt.)
2,041 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 1,715 € | 3,43 € |
| 10 - 18 | 1,625 € | 3,25 € |
| 20 - 48 | 1,48 € | 2,96 € |
| 50 - 98 | 1,31 € | 2,62 € |
| 100 + | 1,255 € | 2,51 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 241-9697
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ018NE2LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon OptiMOS-Leistungs-MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET mit bleifreier Kabelbeschichtung. Er ist für Hochleistungs-Abwärtswandler optimiert.
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand,
qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen
qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 153 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 25 V |
| Gehäusegröße | PQFN 3 x 3 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Verwandte Produkte
- Infineon BSZ018NE2LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 153 A, 8-Pin...
- Infineon BSZ018NE2LSIATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 153 A, 8-Pin...
- Infineon IQE006NE2LM5CGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 298 A,...
- Infineon IQE006NE2LM5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 298 A, 8-Pin...
- Infineon OptiMOS™ BSC018NE2LSIATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 153...
- Infineon HEXFET IRFH5250DTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A...
- Infineon ISK024NE2LM5 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 55 A, 6-Pin PQFN 2 x 2
- Infineon HEXFET IRFH5250TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A,...