Infineon IPG20N06S4L-14A Typ N-Kanal 2 MOSFET 60 V Erweiterung / 20 A 50 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
241-9687
Herst. Teile-Nr.:
IPG20N06S4L14AATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

IPG20N06S4L-14A

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

±16 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon OptiMOS™ T2 Kfz-N-Kanal-MOSFET hat 60 V Ablassquellenspannung (VDS) und 20 A Ablassstrom (ID). Er wird in einem Zweifach-SS08-Gehäuse (PG-TDSON-8) geliefert. Er ist für die automatische optische Inspektion (AOI) durchführbar.

Zweifach-N-Kanal-Logikpegel – Verbesserungsmodus,

AEC Q101-qualifiziert,

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow,

175 °C Betriebstemperatur,

Green Product (RoHS-konform),

100 % Avalanche geprüft,

für automatische optische Inspektion (AOI) durchführbar

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