Infineon IAUC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 24 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 243-9336
Herst. Teile-Nr.:: IAUC24N10S5L300ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IAUC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 24 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Zwischensumme (5000 Stück, auf einer Rolle mit 5000)*

1.275,00 €

(ohne MwSt.)

1.515,00 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 02. April 2027

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
5000 +	0,255 €	1.275,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 243-9336
Herst. Teile-Nr.:: IAUC24N10S5L300ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	24A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	SuperSO8 5 x 6
	Serie	IAUC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.4mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6
	Serie IAUC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IAUC24N10S5L300ATMA1

MOSFET der Serie IAUC von Infineon, maximale Drain-Source-Spannung 100 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom 24 A – IAUC24N10S5L300ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalter, der für Leistungsmanagementfunktionen in kompakten oberflächenmontierten Baugruppen vorgesehen ist. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die einen geringen Einschaltwiderstand und eine hohe kontinuierliche Ablassstromkapazität in oberflächenmontierten Gehäusen erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 1,4 mΩ RDS(on) sorgt für geringere Leitungsverluste unter Last
• 24 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine dauerhafte Stromversorgung
• Die Nennleistung von 100 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltvorgänge
• 81 W Verlustleistung verwaltet thermische Belastung in engen Layouts
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrolliertes Schalten von Wandlern
• Die Gate-Source-Nennleistung von 20 V ermöglicht einen robusten Gate-Antriebsbereich

Anwendungsbereich

• Geeignet für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern in Stromschienen
• Ideal für Kfz-Leistungssteuerungsmodule, die AEC‐Q101 erfordern
• Einsatz mit Hochspannungs-Motortreibern und Boost-Schaltkreisen
• Kann für kompakte Oberflächenmontage-Stromversorgungsdesigns verwendet werden
• Geeignet für das Schalten von Hochstromlasten in eingebetteten Systemen

Welche thermischen Extreme kann er im Betrieb tolerieren?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt.

Welche Befestigungsart sollten Entwickler planen?

Er wird in einem SuperSO8 5x6-Oberflächenmontagegehäuse für die Leiterplattenmontage geliefert.

Welche Kanalpolarität und welchen Modus verwendet er?

Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät, das im Enhancement-Modus betrieben wird.

Entspricht es den gängigen Umweltrichtlinien?

Erfüllt die RoHS-Anforderungen.

Welche Durchlassspannungseigenschaften könnten sich auf Niederspannungsdesigns auswirken?

Die typische Durchlassspannung beträgt 1,1 V, was die Leitungsabfallberechnung beeinflusst.