Infineon BSG0810NDI Typ N-Kanal 2 MOSFET 25 V / 50 A 6.25 W, 8-Pin TISON-8
- RS Best.-Nr.:
- 242-0301
- Herst. Teile-Nr.:
- BSG0810NDIATMA1
- Marke:
- Infineon
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- BSG0810NDIATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Serie | BSG0810NDI | |
| Gehäusegröße | TISON-8 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6.25W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Serie BSG0810NDI | ||
Gehäusegröße TISON-8 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6.25W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Power Block von Infineon ist ein dualer asymmetrischer N-Kanal OptiMOS 5 MOSFET. Es ist eine monolithisch integrierte Schottky-ähnliche Diode.
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Bleifreie Kabelbeschichtung und RoHS-konform
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