Infineon N-Kanal-MOSFET OptiMOS N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 50 A 6.25 W, 8-Pin Stromplatine 5x6

RS Best.-Nr.:: 215-2466
Herst. Teile-Nr.:: BSG0811NDATMA1
Marke:: Infineon

Infineon N-Kanal-MOSFET OptiMOS N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 50 A 6.25 W, 8-Pin Stromplatine 5x6

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Herst. Teile-Nr.:: BSG0811NDATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	50A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	25V
	Gehäusegröße	Stromplatine 5x6
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	8.4nC
	Maximale Verlustleistung Pd	6.25W
	Gate-Source-spannung max Vgs	4.5V
	Durchlassspannung Vf	0.84V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Transistor-Konfiguration	N-Kanal-MOSFET
	Normen/Zulassungen	JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21
	Breite	6.1mm
	Höhe	1.1mm
	Länge	5.1mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 25V
	Gehäusegröße Stromplatine 5x6
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.4nC
	Maximale Verlustleistung Pd 6.25W
	Gate-Source-spannung max Vgs 4.5V
	Durchlassspannung Vf 0.84V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Transistor-Konfiguration N-Kanal-MOSFET
	Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21
	Breite 6.1mm
	Höhe 1.1mm
	Länge 5.1mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSG0811NDATMA1

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 25 V Drain-Source-Spannung, 50 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSG0811NDATMA1

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der für Hochstromschaltungen in kompakten Leistungsdesigns entwickelt wurde. Er arbeitet mit einer N-Kanal-Topologie im Enhancement-Modus und enthält zwei Elemente auf einem einzigen Chip, um Dual-Switch-Funktionen zu bedienen. Das Gerät eignet sich für Anwendungen, die ein logisches Gate und einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand in einer Niederspannungsumgebung erfordern, und wird in einem Power Block 5x6-Gehäuse für dichte Leiterplatten-Layouts geliefert.

Merkmale und Vorteile:

• Sehr niedriger Rds(on) von 3 mΩ ermöglicht geringere Leitungsverluste
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 50 A für hohe Stromanforderungen
• Logik-Level-Gate mit Vgs-Grenze von 4,5 V für Direct-Drive-Kompatibilität
• Typische Gate-Ladung Qg 8,4 nC unterstützt schnelle Gate-Übergänge
• Nennverlustleistung von 6,25 W für effektives Wärmemanagement
• Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C für eine breite Temperaturtoleranz

Anwendungsbereich

• Geeignet für synchrone Abwärtswandler in Stromversorgungen
• Ideal für Server-VRM und Hochstrom-DC-DC-Module
• Einsatz mit Batteriemanagement-Schaltkreisen in Niederspannungsanlagen
• Kann für Motor-Treiber-Stufen in kompakten Steuerungen verwendet werden
• Geeignet für hocheffiziente Stromverteilung und Lastschaltung

Welche thermischen Grenzwerte sollten bei der Leiterplattenkonstruktion berücksichtigt werden?

Das Gerät kann bis zu einer Sperrschichttemperatur von 150 °C betrieben werden und leitet bis zu 6,25 W ab

Thermische Leitungen und eine ausreichende Kupferfläche werden empfohlen, um die Wärme zu bewältigen.

Wie wirkt sich die Zwei-Elemente-Konstruktion auf die Layout-Auswahl aus?

Zwei Elemente pro Chip sorgen für parallele Strompfade, wodurch die Belastung der einzelnen Matrizen reduziert und eine engere Platzierung für eine symmetrische Wärmeverteilung ermöglicht wird.

Welche Gate-Drive-Eigenschaften sind für eine effiziente Schaltung erforderlich?

Ein Gate-Treiber, der mit einer maximalen Gate-Source-Nennspannung von 4,5 V und einem geringen Ladebedarf von 8,4 nC kompatibel ist, reduziert Gate-Treiberverluste und Schaltenergie.

Gibt es Material- oder Regulierungsstandards, die für die Auswahl relevant sind?

Die Komponente entspricht den Anforderungen von JEDEC und RoHS und wird auf einem IEC61249-2-21-Substrat hergestellt, was auf standardisierte Materialien und bleifreie Anforderungen hinweist.