Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 33 W, 3-Pin TO-220 FP

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RS Best.-Nr.:
892-2309
Herst. Teile-Nr.:
IPA093N06N3GXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

43 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Serie

OptiMOS™ 3

Gehäusegröße

TO-220 FP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

9,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

33 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.65mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

36 nC @ 10 V

Breite

4.85mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

16.15mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


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Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS
Optimierte Technik für DC/DC-Wandler
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Pb-frei Beschichtung


MOSFET-Transistoren, Infineon


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