Infineon Einfach OptiMOS 3 Typ N, Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 60 V Erweiterung / 43 A 33
- RS Best.-Nr.:
- 892-2309
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA093N06N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 892-2309
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA093N06N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 43A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.65mm | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Breite | 4.85 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 43A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montageart Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.65mm | ||
Höhe 16.15mm | ||
Breite 4.85 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOSTM3 Leistungs-MOSFETs, 60 bis 80 V
OptiMOSTM-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und volle Flexibilität auf begrenztem Raum zu bieten. Diese Infineon-Produkte wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte der verbesserten Spannungsregelungsstandards der nächsten Generation in Computeranwendungen zu erfüllen und zu übertreffen.
Schnell schaltender MOSFET für SMPS
Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler
Qualifiziert gemäß JEDEC1) für Zielanwendungen
N-Kanal, Logikpegel
Ausgezeichnete Gate-Ladung x R DS(on)-Produkt (FOM)
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MOSFET-Transistoren, Infineon
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