Infineon Einfach OptiMOS 3 N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 60 V Erweiterung / 43 A 33 W, 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 165-8110
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA093N06N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 165-8110
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA093N06N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 43A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Breite | 4.85mm | |
| Länge | 10.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 43A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Breite 4.85mm | ||
Länge 10.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 16.15mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
Fast switching MOSFET for SMPS
Optimized technology for DC/DC converters
Qualified according to JEDEC1) for target applications
N-channel, logic level
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
Pb-free plating
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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