Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 43 A 71 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 892-2318
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP180N10N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 892-2318
- Herst. Teile-Nr.:
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 43A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 33mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 71W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.57mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.36mm | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 43A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 71W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.57mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.36mm | ||
Höhe 15.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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