Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 43 A 71 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 892-2318
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP180N10N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
9,11 €
(ohne MwSt.)
10,84 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 150 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 500 Einheit(en) mit Versand ab 19. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 0,911 € | 9,11 € |
| 20 - 40 | 0,684 € | 6,84 € |
| 50 - 90 | 0,593 € | 5,93 € |
| 100 - 190 | 0,546 € | 5,46 € |
| 200 + | 0,50 € | 5,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 892-2318
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP180N10N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 43A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 33mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 71W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Breite | 4.57 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 43A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 71W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 15.95mm | ||
Breite 4.57 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal 3-Pin IPP180N10N3GXKSA1 TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin IRFB3806PBF TO-220
- Infineon OptiMOS T2 N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 3-Pin IPD50N06S4L08ATMA2 TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 3-Pin IPD50N06S409ATMA2 TO-252
- Infineon OptiMOS-T Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
