Infineon OptiMOS™ BSG0811NDATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 50 A, 8-Pin TISON-8

Der Infineon OptiMOS 5 Power Block ist ein bleifreies SMD-Gehäuse in einem 5,0x6,0 mmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmm²-Gehäuse, einschließlich eines Niederspannungs- und eines Hochspannungsseiten-MOSFET in einer synchronen Abwärtswandlerkonfiguration. Durch den Austausch von zwei separaten diskreten Gehäusen wie SO8 oder SuperSO8 durch den OptiMOS 5 Power Block können Kunden ihre Designs um bis zu 85 % schrumpfen. Die Standardisierung von Leistungspaketen kommt dem Kunden zugute, da die Anzahl der verschiedenen auf dem Markt erhältlichen Gehäuseumrisse minimiert wird.

50 A max. Durchschnittlicher Laststrom
Low-Side-MOSFET für bessere Leiterplattenkühlung
Intern verbunden Niederspannungsseite und Hochspannungsseite (niedrigste Schleifeninduktivität)
High-Side-Kelvin-Anschluss für effizienteres Fahren