Infineon Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 3 A 111 W, 5-Pin ThinPAK 5x6

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RS Best.-Nr.:
217-2540
Herst. Teile-Nr.:
IPL60R1K5C6SATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

ThinPAK 5x6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

111W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

8.8 mm

Höhe

1.1mm

Länge

8.8mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das neue CoolMOS TM ThinPAK 5x6 von Infineon ist ein bleifreies SMD-Gehäuse, das speziell für Hochspannungs-MOSFETs entwickelt wurde. Dieses neue Gehäuse hat eine sehr kleine Abmessung von 5 x 6 mm 2 und ein sehr flaches Profil mit nur 1 mm Höhe. Diese deutlich kleinere Gehäusegröße in Kombination mit ihren niedrigen parasitären Referenzinduktivitäten kann als neue und effektive Möglichkeit zur Verringerung der Systemlösungsgröße in leistungsdichten Designs verwendet werden. Das ThinPAK 5x6-Gehäuse zeichnet sich durch eine sehr niedrige Quellinduktivität von 1,6 nH sowie eine ähnliche thermische Leistung wie DPAK aus. Das Gehäuse ermöglicht somit ein schnelleres und somit effizienteres Schalten von Leistungs-MOSFETs und ist in Bezug auf Schaltverhalten und elektromagnetische Störungen leichter zu handhaben.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mmmm2)

Flache Bauweise (1 mm)

Geringe parasitäre Induktivität

RoHS-konform

Halogenfreie Formmasse

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