Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 81 W, 5-Pin ThinPAK

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

13,08 €

(ohne MwSt.)

15,565 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 13. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 202,616 €13,08 €
25 - 452,092 €10,46 €
50 - 1201,936 €9,68 €
125 - 2451,804 €9,02 €
250 +1,676 €8,38 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4916
Herst. Teile-Nr.:
IPL60R185P7AUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

ThinPAK

Serie

IPL60R

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

185mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

8.1mm

Höhe

1.1mm

Breite

8.1 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600V CoolMOS TM P7 ist der Nachfolger der 600V CoolMOS TM P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.

ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)

Integrierter Torwiderstand R G.

Robuste Gehäusediode

Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen

Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich

Verwandte Links