Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 17 A 103 W, 5-Pin ThinPAK

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

7,50 €

(ohne MwSt.)

8,92 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 480 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 183,75 €7,50 €
20 - 483,415 €6,83 €
50 - 983,19 €6,38 €
100 - 1982,96 €5,92 €
200 +2,735 €5,47 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4914
Herst. Teile-Nr.:
IPL60R125C7AUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

IPL60R

Gehäusegröße

ThinPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

120mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

103W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

8.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Länge

8.1mm

Automobilstandard

Nein

Die 600-V-CoolMOS-C7-Superjunction-(SJ)-MOSFET-Serie von Infineon bietet eine ∼50 %-ige Reduzierung der Abschaltverluste (E oss) im Vergleich zum CoolMOS TM CP und bietet ein hervorragendes Leistungsniveau in PFC-, TTF- und anderen Hartschalter-Topologien. Das IPL60R185C7 ist auch eine perfekte Wahl für Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte.

Reduzierte Schaltverlustparameter wie z. B. Q G, C oss, E oss

Klassenbeste Leistung Q G*R DS(on)

Erhöhte Schaltfrequenz

Bestes R (on)*A der Welt

Robuste Gehäusediode

Verwandte Links