Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 12 A 75 W, 5-Pin ThinPAK

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RS Best.-Nr.:
222-4919
Herst. Teile-Nr.:
IPL65R195C7AUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

IPL60R

Gehäusegröße

ThinPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

195mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

75W

Höhe

1.1mm

Breite

8.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

8.1mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon CoolMOS TM C7 Superjunction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet

Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS- und Solarwechselrichteranwendungen

Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse

Niedrige Schaltverluste

Bessere Effizienz bei geringer Last

Erhöhung der Leistungsdichte

Hervorragende CoolMOS-Qualität

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