Infineon CoolMOS™ C7 IPL65R195C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8

RS Best.-Nr.:: 222-4919
Herst. Teile-Nr.:: IPL65R195C7AUMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS™ C7 IPL65R195C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8

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Herst. Teile-Nr.:: IPL65R195C7AUMA1
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Datasheet - IPL65R195C7AUMA1

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Produktdetails

Die Infineon CoolMOS TM C7 Superjunction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet

Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS- und Solarwechselrichteranwendungen
Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse
Niedrige Schaltverluste
Bessere Effizienz bei geringer Last
Erhöhung der Leistungsdichte
Hervorragende CoolMOS-Qualität

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	12 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	ThinPAK 8 x 8
Serie	CoolMOS™ C7
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	5
Drain-Source-Widerstand max.	195 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si

Infineon CoolMOS™ C7 IPL65R195C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8

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