Infineon CoolMOS™ C7 IPL65R070C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 28 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8

RS Best.-Nr.:: 222-4917
Herst. Teile-Nr.:: IPL65R070C7AUMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS™ C7 IPL65R070C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 28 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8

6000 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)

4,095 €

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Herst. Teile-Nr.:: IPL65R070C7AUMA1
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Datasheet - IPL65R070C7AUMA1

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Produktdetails

Die Infineon CoolMOS TM C7 Superjunction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.

Revolutionäres Best-in-Class R DS(on)/Gehäuse
Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (Eoss)
Niedrigere Gate-Ladung Qg.
Platzsparend durch den Einsatz kleinerer Gehäuse oder die Reduzierung von Teilen
12 Jahre Herstellerfahrung in der Superjunction-Technologie

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	28 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	CoolMOS™ C7
Gehäusegröße	ThinPAK 8 x 8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	5
Drain-Source-Widerstand max.	70 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Infineon CoolMOS™ C7 IPL65R070C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 28 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8

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