Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 12 A 75 W, 5-Pin ThinPAK
- RS Best.-Nr.:
- 222-4920
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL65R195C7AUMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPL65R195C7AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | ThinPAK | |
| Serie | IPL60R | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 195mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 75W | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 8.1mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße ThinPAK | ||
Serie IPL60R | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 195mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 75W | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 8.1mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon CoolMOS TM C7 Superjunction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet
Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS- und Solarwechselrichteranwendungen
Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse
Niedrige Schaltverluste
Bessere Effizienz bei geringer Last
Erhöhung der Leistungsdichte
Hervorragende CoolMOS-Qualität
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