Infineon IPL N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 27 A 111 W, 5-Pin ThinPAK
- RS Best.-Nr.:
- 217-2538
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R125P7AUMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 27A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | ThinPAK | |
| Serie | IPL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 111W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 8.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 8.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 27A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße ThinPAK | ||
Serie IPL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 111W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 8.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 8.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der IPL-Serie von Infineon, 600 V Drain-Source-Spannung, 27 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPL60R125P7AUMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet im Enhancement-Modus mit einem N-Typ-Kanal und ist für den Einsatz vorgesehen, bei dem eine hohe Spannungsbelastbarkeit und ein hoher Dauerstrom erforderlich sind. Das Gerät eignet sich für thermische Umgebungen, die weit unter dem Frostschutz bis zum Hochtemperaturbetrieb reichen.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltvorgänge in kompakten Schaltkreisen
• 27 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhaftes Lasttreiben
• 0,125 Ω RDS(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 111 W ermöglicht einen hohen thermischen Durchsatz
• Die Gate-Ladung von 36 nC sorgt für Gleichgewicht zwischen Schaltgeschwindigkeit und Antriebsanforderungen
• 27 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhaftes Lasttreiben
• 0,125 Ω RDS(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 111 W ermöglicht einen hohen thermischen Durchsatz
• Die Gate-Ladung von 36 nC sorgt für Gleichgewicht zwischen Schaltgeschwindigkeit und Antriebsanforderungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in industriellen Systemen
• Ideal für Motorantriebs-Frontenden, die einen dauerhaften Strom erfordern
• Kann für Leistungsfaktorkorrekturstufen in Netzteilen verwendet werden
• Wird mit Halbleiterrelais und elektronischen Schaltmodulen verwendet
• Geeignet für Hochtemperatur-Stromversorgungen bis zu 150 °C
• Ideal für Motorantriebs-Frontenden, die einen dauerhaften Strom erfordern
• Kann für Leistungsfaktorkorrekturstufen in Netzteilen verwendet werden
• Wird mit Halbleiterrelais und elektronischen Schaltmodulen verwendet
• Geeignet für Hochtemperatur-Stromversorgungen bis zu 150 °C
Welche Gate-Antriebsaspekte sollte ich zulassen?
Das Gate erfordert einen Antrieb, der eine typische Gate-Ladung von 36 nC liefern kann, um die zu erwartende Schaltleistung bei Einhaltung einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V zu erreichen.
Wie sollte das thermische Design die Verlustleistung berücksichtigen?
Das thermische Layout muss eine maximale Verlustleistung von 111 W aufnehmen, wobei geeignete Leiterplatten-Kupferfläche oder Wärmeleitungen und Kühlkörper verwendet werden, um die Sperrschichttemperaturen innerhalb der Nenngrenzen zu halten.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?
Er wird in einem oberflächenmontierten ThinPAK-Gehäuse mit fünf Stiften geliefert, um Verbindungen mit niedriger Induktivität und eine kompakte Platzierung der Leiterplatte zu ermöglichen.
Was sind die sicheren Betriebstemperaturgrenzen?
Das Gerät funktioniert in einem breiten Temperaturbereich von -40 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz sowohl in Umgebungen mit Kaltstart als auch mit erhöhter Temperatur.
Welche Spannungs- und Strombelastungen sind auf dem Drain zulässig?
Der Drain kann maximal 600 V und einem Dauerstrom von bis zu 27 A ausgesetzt werden, wobei sichergestellt wird, dass RDS(on) und Verlustleistung innerhalb der angegebenen Werte bleiben.
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