Infineon IPL65R115CFD7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 24 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8

Der Infineon 650V CoolMOS™ CFD7 Super-Sperrschicht-MOSFET im ThinPAK 8x8- Gehäuse eignet sich ideal für resonante Topologien in industriellen Anwendungen wie Server-, Telekommunikations-, Solar- und EV-Ladestationen, in denen er im Vergleich zum Wettbewerb erhebliche Effizienzsteigerungen ermöglicht. Als Nachfolger der CFD2 SJ MOSFET-Familie verfügt er über eine reduzierte Gate-Ladung, ein verbessertes Abschaltverhalten und eine verringerte Rückerholungsladung, was höchste Effizienz und Leistungsdichte sowie eine zusätzliche Durchbruchspannung von 50 V ermöglicht.

Deutlich reduzierte Schaltverluste im Vergleich zum Wettbewerb
Extra Sicherheitsspielraum für Designs mit erhöhter Busspannung
Verbesserter Wirkungsgrad bei Volllast in industriellen SMPS-Anwendungen
Hohe Leistungsdichte