Infineon IPL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 107 A 171 W, 5-Pin ThinPAK 8 x 8
- RS Best.-Nr.:
- 240-6616
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL65R115CFD7AUMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPL65R115CFD7AUMA1
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 107A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | ThinPAK 8 x 8 | |
| Serie | IPL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 171W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 24mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 107A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße ThinPAK 8 x 8 | ||
Serie IPL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 171W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 24mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon 650V CoolMOS™ CFD7 Super-Sperrschicht-MOSFET im ThinPAK 8x8- Gehäuse eignet sich ideal für resonante Topologien in industriellen Anwendungen wie Server-, Telekommunikations-, Solar- und EV-Ladestationen, in denen er im Vergleich zum Wettbewerb erhebliche Effizienzsteigerungen ermöglicht. Als Nachfolger der CFD2 SJ MOSFET-Familie verfügt er über eine reduzierte Gate-Ladung, ein verbessertes Abschaltverhalten und eine verringerte Rückerholungsladung, was höchste Effizienz und Leistungsdichte sowie eine zusätzliche Durchbruchspannung von 50 V ermöglicht.
Deutlich reduzierte Schaltverluste im Vergleich zum Wettbewerb
Extra Sicherheitsspielraum für Designs mit erhöhter Busspannung
Verbesserter Wirkungsgrad bei Volllast in industriellen SMPS-Anwendungen
Hohe Leistungsdichte
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