Infineon IPL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 27 A 111 W, 5-Pin ThinPAK

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RS Best.-Nr.:
217-2537
Herst. Teile-Nr.:
IPL60R125P7AUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

27A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

IPL

Gehäusegröße

ThinPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

111W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

8.8mm

Breite

8.8 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Der 600-V-CoolMOS-P7-Superjunction-(SJ)-MOSFET von Infineon ist der Nachfolger der 600-V-CoolMOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.

Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und LLC) aufgrund einer Hervorragende Kommutierungsbeständigkeit

Deutliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten

Ausgezeichnete ESD-Robustheit > von 2 kV (HBM) für alle Produkte

Bessere RDS(on)/Paketprodukte im Vergleich zu Konkurrenzprodukten, die durch ein ermöglicht werden

Niedriger RDS(on) * A (unter 1 Ohm * mmmmmmmm2)

Vollständig qualifiziert gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen

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