Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 81 W, 5-Pin ThinPAK

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RS Best.-Nr.:
222-4915
Herst. Teile-Nr.:
IPL60R185P7AUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

IPL60R

Gehäusegröße

ThinPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

185mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

8.1 mm

Höhe

1.1mm

Länge

8.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600V CoolMOS TM P7 ist der Nachfolger der 600V CoolMOS TM P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.

ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)

Integrierter Torwiderstand R G.

Robuste Gehäusediode

Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen

Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich

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