Infineon AUIRFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 260 A 81 W, 3-Pin AUIRFS3107TRL TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 242-0965
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFS3107TRL
- Marke:
- Infineon
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- AUIRFS3107TRL
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 260A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Serie | AUIRFS | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 260A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Serie AUIRFS | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der 75-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon befindet sich in einem D2-Pak-Gehäuse. Der maximale kontinuierliche Ablassstrom beträgt 195 A.
Fortschrittliche Prozesstechnologie
Extrem niedriger Einschaltwiderstand
175 °C Betriebstemperatur
Schnelles Schalten
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