Infineon AUIRFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 160 A 81 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
242-0966
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFS3306TRL
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

160A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

AUIRFS

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der 60-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon in einem D2-Pak-Gehäuse. Der kontinuierliche Ablassstrom (Id) beträgt 160 A. Die Betriebstemperatur des Leistungs-MOSFETs beträgt -55 °C bis 175 °C.

Oberflächenmontage-Technologie

Die Verlustleistung beträgt 230 W

Typische Anwendungen: Bürstenmotorantrieb, bürstenloser Motorantrieb

Fortschrittliche Prozesstechnologie

Extrem niedriger Einschaltwiderstand

Schnelles Schalten

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