Infineon AUIRFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 160 A 81 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 242-0967
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFS3306TRL
- Marke:
- Infineon
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- AUIRFS3306TRL
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 160A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | AUIRFS | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 160A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie AUIRFS | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der 60-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon in einem D2-Pak-Gehäuse. Der kontinuierliche Ablassstrom (Id) beträgt 160 A. Die Betriebstemperatur des Leistungs-MOSFETs beträgt -55 °C bis 175 °C.
Oberflächenmontage-Technologie
Die Verlustleistung beträgt 230 W
Typische Anwendungen: Bürstenmotorantrieb, bürstenloser Motorantrieb
Fortschrittliche Prozesstechnologie
Extrem niedriger Einschaltwiderstand
Schnelles Schalten
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