Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 273 A 81 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 242-5817
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB017N10N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 273A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 273A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations blöcken einschließlich Or-ing, Hot-Swap und Batterieschutz sowie für Server-Netzteil anwendungen entwickelt. Das Gerät hat einen niedrigeren RDS(on) von 22 % im Vergleich zu ähnlichen Geräten. Einer der größten Beitrag zu diesem branchenführenden FOM ist der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand, der das höchste Maß an Leistungsdichte und Effizienz bietet.
Optimiert für synchrone Gleichrichtung,
ideal für hohe Schaltfrequenz
Ausgangskapazitätsreduzierung von bis zu 44 % RDS(on) Reduzierung von bis zu 43 % gegenüber der vorherigen Generation
Höchste Systemwirksamkeit
Geringere Schalt- und Leitungsverluste