Infineon IPB017N10N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 273 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 242-5817
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB017N10N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück
6,75 €
(ohne MwSt.)
8,03 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück |
---|---|
1 - 9 | 6,75 € |
10 - 24 | 6,41 € |
25 - 49 | 6,15 € |
50 - 99 | 5,87 € |
100 + | 5,46 € |
- RS Best.-Nr.:
- 242-5817
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB017N10N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon MOSFET wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations blöcken einschließlich Or-ing, Hot-Swap und Batterieschutz sowie für Server-Netzteil anwendungen entwickelt. Das Gerät hat einen niedrigeren RDS(on) von 22 % im Vergleich zu ähnlichen Geräten. Einer der größten Beitrag zu diesem branchenführenden FOM ist der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand, der das höchste Maß an Leistungsdichte und Effizienz bietet.
Optimiert für synchrone Gleichrichtung,
ideal für hohe Schaltfrequenz
Ausgangskapazitätsreduzierung von bis zu 44 % RDS(on) Reduzierung von bis zu 43 % gegenüber der vorherigen Generation
Höchste Systemwirksamkeit
Geringere Schalt- und Leitungsverluste
ideal für hohe Schaltfrequenz
Ausgangskapazitätsreduzierung von bis zu 44 % RDS(on) Reduzierung von bis zu 43 % gegenüber der vorherigen Generation
Höchste Systemwirksamkeit
Geringere Schalt- und Leitungsverluste
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 273 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 7 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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