Infineon iPB N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 273 A 81 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 242-5817
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB017N10N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 273A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 273A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der iPB-Serie von Infineon, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 273 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPB017N10N5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Schaltgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für anspruchsvolle Industrie- und Leistungsumgebungen vorgesehen, in denen eine robuste Strombelastbarkeit und thermische Widerstandsfähigkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand sorgt für minimale Leitungsverluste und verbesserte Effizienz
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht dauerhaften Betrieb bei hoher Belastung
• 100-V-Drain-Nennleistung unterstützt gängige Mittelspannungstopologien
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht einen höheren Leistungsdurchsatz in kompakten Gehäusen
• 80 nC typische Gate-Ladung unterstützt reaktionsschnelles Schalten in Wandlern
• 20-V-Gate-Nennwert ermöglicht eine breite Flexibilität bei der Gate-Drive-Spannung
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht dauerhaften Betrieb bei hoher Belastung
• 100-V-Drain-Nennleistung unterstützt gängige Mittelspannungstopologien
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht einen höheren Leistungsdurchsatz in kompakten Gehäusen
• 80 nC typische Gate-Ladung unterstützt reaktionsschnelles Schalten in Wandlern
• 20-V-Gate-Nennwert ermöglicht eine breite Flexibilität bei der Gate-Drive-Spannung
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Leistungswandler
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird mit Motorantriebs-Halbbrückenstufen verwendet
• Kann für Server- und Telekommunikations-Stromschienen verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement- und Wechselrichtersysteme
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird mit Motorantriebs-Halbbrückenstufen verwendet
• Kann für Server- und Telekommunikations-Stromschienen verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement- und Wechselrichtersysteme
Welchen thermischen Extremen kann dieses Gerät standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt, um den Anforderungen eines breiten industriellen Temperaturbereichs gerecht zu werden.
Wie wirkt sich die Gehäusetyp auf die Montage und das Wärmemanagement aus?
Das oberflächenmontierbare TO-263-Format ermöglicht die direkte Leiterplattenmontage mit Wegen mit geringem Wärmewiderstand für Kühlkörperanordnungen.
Welche Gate-Drive-Bedenken sollten für die Schaltleistung beachtet werden?
Mit einer typischen Gate-Ladung von 80 nC und einer maximalen Gate-Nennspannung von 20 V müssen Gate-Treiber ausreichend Strom liefern, während die Vgs-Grenze eingehalten wird, um schnelle Übergänge zu erreichen.
Welche Kanalcharakteristiken beeinflussen die Leitungs- und Schaltverluste?
Das Gerät verwendet eine N-Kanal-Architektur mit einem sehr niedrigen Drain-Source-Widerstand, der Leitungsverluste reduziert und gleichzeitig eine hohe Strombelastbarkeit gewährleistet.
Ist dieses Gerät für die Qualifizierung im Automobilbereich vorgesehen?
Das Teil ist nicht als Kfz-konform klassifiziert, erfüllt aber die RoHS-Umweltanforderungen.