Infineon IPB048N15N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 120 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Der Infineon MOSFET ist besonders geeignet für Niederspannungsantriebe wie Gabelstapler und E-Scooter sowie für Telekommunikations- und Solaranwendungen. Die Produkte bieten eine bahnbrechende Reduzierung von R DS(on) (bis zu 25 % im Vergleich zur nächsten besten Alternative in SuperSO8) und Q rr ohne Kompromisse bei FOM gd und FOM OSS, was den Designaufwand effektiv reduziert und gleichzeitig die Systemeffizienz optimiert.

Niedrigere R DS(on) ohne Kompromisse bei FOMgd und FOMoss
Niedrigere Ausgangsladung
Extrem niedrige umgekehrte Wiederherstellungsladung (Q rr = 26 nC in SuperSO8)
175 °C Betriebstemperatur
175 °C bleifreie Kabelbeschichtung

RoHS-konform Drain-Quelle-Durchschlagsspannung 150 V
Maximaler Ablassstrom 120 A