Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
242-5818
Herst. Teile-Nr.:
IPB048N15N5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

273A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ist besonders geeignet für Niederspannungsantriebe wie Gabelstapler und E-Scooter sowie für Telekommunikations- und Solaranwendungen. Die Produkte bieten eine bahnbrechende Reduzierung von R DS(on) (bis zu 25 % im Vergleich zur nächsten besten Alternative in SuperSO8) und Q rr ohne Kompromisse bei FOM gd und FOM OSS, was den Designaufwand effektiv reduziert und gleichzeitig die Systemeffizienz optimiert.

Niedrigere R DS(on) ohne Kompromisse bei FOMgd und FOMoss

Niedrigere Ausgangsladung

Extrem niedrige umgekehrte Wiederherstellungsladung (Q rr = 26 nC in SuperSO8)

175 °C Betriebstemperatur

175 °C bleifreie Kabelbeschichtung

RoHS-konform Drain-Quelle-Durchschlagsspannung 150 V

Maximaler Ablassstrom 120 A

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