Wartung der Website - 21. - 23. Juni 2024

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Infineon IPB048N15N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 120 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 242-5818
Herst. Teile-Nr.:: IPB048N15N5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPB048N15N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 120 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

999999999 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 1000)

4,037 €

(ohne MwSt.)

4,804 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
1000 +	4,037 €	4.037,00 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 242-5818
Herst. Teile-Nr.:: IPB048N15N5ATMA1
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet - IPB048N15N5ATMA1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der Infineon MOSFET ist besonders geeignet für Niederspannungsantriebe wie Gabelstapler und E-Scooter sowie für Telekommunikations- und Solaranwendungen. Die Produkte bieten eine bahnbrechende Reduzierung von R DS(on) (bis zu 25 % im Vergleich zur nächsten besten Alternative in SuperSO8) und Q rr ohne Kompromisse bei FOM gd und FOM OSS, was den Designaufwand effektiv reduziert und gleichzeitig die Systemeffizienz optimiert.

Niedrigere R DS(on) ohne Kompromisse bei FOMgd und FOMoss
Niedrigere Ausgangsladung
Extrem niedrige umgekehrte Wiederherstellungsladung (Q rr = 26 nC in SuperSO8)
175 °C Betriebstemperatur
175 °C bleifreie Kabelbeschichtung

RoHS-konform Drain-Quelle-Durchschlagsspannung 150 V
Maximaler Ablassstrom 120 A

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	120 A
Drain-Source-Spannung max.	150 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Anzahl der Elemente pro Chip	1