Infineon IPB110N20N3LFATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 88 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Der lineare FET-MOSFET von Infineon ist ein revolutionärer Ansatz, um den Kompromiss zwischen Durchlasswiderstand (R DS(on)) und Linearmodusfähigkeit zu vermeiden –Betrieb im Sättigungsbereich eines Enhanced-Mode-MOSFET. Bietet den modernsten R DS(on) eines Trench-MOSFETs zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFETs.

Kombination aus niedrigem R DS(on) und großem sicheren Betriebsbereich (SOA)
Hoher maximaler Impulsstrom
Hoher kontinuierlicher Impulsstrom
Maximaler Ablassstrom beträgt 88 A
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 150 °C