Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin IPB60R045P7ATMA1 TO-263

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242-5828
Herst. Teile-Nr.:
IPB60R045P7ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

273A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

iPB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der MOSFET mit Super Junction von Infineon ist der Nachfolger der 600-V-Serie CoolMOS P6. Er balanciert weiterhin die Notwendigkeit einer hohen Effizienz gegen die Benutzerfreundlichkeit im Designprozess Der klassenbeste RonxA und die grundsätzlich niedrige Gate-Ladung (QG) der CoolMOS™-Plattform der 7. Generation sorgen für einen hohen Wirkungsgrad.

Integrierter Gate-Widerstand RG

Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und LLC) aufgrund einer hervorragenden Kommutationsbeständigkeit

Erhebliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten

Ausgezeichnete ESD-Robustheit >2 kV (HBM) für alle Produkte

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