Wartung der Website - 21. - 23. Juni 2024

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Infineon IPB60R045P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 61 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 242-5828
Herst. Teile-Nr.:: IPB60R045P7ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPB60R045P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 61 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück

5,67 €

(ohne MwSt.)

6,75 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück
1 - 9	5,67 €
10 - 24	5,39 €
25 - 49	5,16 €
50 - 99	4,93 €
100 +	4,59 €

RS Best.-Nr.:: 242-5828
Herst. Teile-Nr.:: IPB60R045P7ATMA1
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet - IPB60R045P7ATMA1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der MOSFET mit Super Junction von Infineon ist der Nachfolger der 600-V-Serie CoolMOS P6. Er balanciert weiterhin die Notwendigkeit einer hohen Effizienz gegen die Benutzerfreundlichkeit im Designprozess Der klassenbeste RonxA und die grundsätzlich niedrige Gate-Ladung (QG) der CoolMOS™-Plattform der 7. Generation sorgen für einen hohen Wirkungsgrad.

Integrierter Gate-Widerstand RG
Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und LLC) aufgrund einer hervorragenden Kommutationsbeständigkeit
Erhebliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten
Ausgezeichnete ESD-Robustheit >2 kV (HBM) für alle Produkte

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	61 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Anzahl der Elemente pro Chip	1