Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin MLPAK33
- RS Best.-Nr.:
- 243-4881
- Herst. Teile-Nr.:
- PXP013-30QLJ
- Marke:
- Nexperia
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
6,75 €
(ohne MwSt.)
8,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 400 Einheit(en) mit Versand ab 02. März 2026
- Zusätzlich 3.000 Einheit(en) mit Versand ab 01. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,27 € | 6,75 € |
| 50 - 75 | 0,264 € | 6,60 € |
| 100 - 225 | 0,202 € | 5,05 € |
| 250 - 975 | 0,198 € | 4,95 € |
| 1000 + | 0,122 € | 3,05 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 243-4881
- Herst. Teile-Nr.:
- PXP013-30QLJ
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | MLPAK33 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße MLPAK33 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der P-Kanal-Verbesserungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) von Nexperia in einem MLPAK33 (SOT8002)-Kunststoffgehäuse für Oberflächenmontage (SMD) mit Trench-MOSFET-Technologie.
Niedrige Schwellenspannung
Trench-MOSFET-Technologie
High-Side-Lastschalter
Batteriemanagement
DC/DC-Umwandlung
Schaltkreise